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IS61C67-20N

16k X 1 high speed cmos static ram

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明
0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
20 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDIP-T20
JESD-609代码
e0
长度
25.527 mm
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端子数量
20
字数
16384 words
字数代码
16000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP20,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.572 mm
最大待机电流
0.003 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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参数对比
与IS61C67-20N相近的元器件有:IS61C67-L20N、IS61C67-25N、IS61C67-L25N、IS61C67-15N、IS61C67、IS61C67-L15N。描述及对比如下:
型号 IS61C67-20N IS61C67-L20N IS61C67-25N IS61C67-L25N IS61C67-15N IS61C67 IS61C67-L15N
描述 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram 16k X 1 high speed cmos static ram
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - - Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 DIP, DIP20,.3 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20 DIP, DIP20,.3 - 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant unknown not_compliant - unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 - - EAR99
最长访问时间 20 ns 20 ns 25 ns 25 ns 15 ns - 15 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE - SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T20 R-PDIP-T20 R-PDIP-T20 R-PDIP-T20 R-PDIP-T20 - R-PDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - e0
长度 25.527 mm 25.527 mm 25.527 mm 25.527 mm 25.527 mm - 25.527 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit - 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 - 1
功能数量 1 1 1 1 1 - 1
端子数量 20 20 20 20 20 - 20
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words - 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 - 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 - 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP - DIP
封装等效代码 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3 DIP20,.3 - DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE - IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm - 4.572 mm
最大待机电流 0.003 A 0.0001 A 0.002 A 0.0001 A 0.004 A - 0.0001 A
最小待机电流 4.5 V 2 V 4.5 V 2 V 4.5 V - 2 V
最大压摆率 0.085 mA 0.085 mA 0.075 mA 0.075 mA 0.1 mA - 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO - NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm - 7.62 mm
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